H. Kim, Nath, D. N. , Lu, W. , and Rajan, S. ,
“Polarization-Engineered GaN-based Heterostructure for Normally-Off High Electron Mobility Transistors”,
Journal of Electronics Materials, vol. 42, pp. 10-14, 2012.
M. Laskar, Nath, D. N. , Ma, L. , Lee, E. , Lee, C. H. , Kent, T. , Yang, Z. , Mishra, R. , Roldan, M. A. , Idrobo, J. - C. , Pantelides, S. T. , Pennycook, S. J. , Myers, R. , Wu, Y. , and Rajan, S. ,
“p-type doping of MoS2 thin films using Nb”,
Applied Physics Letters, vol. 104, p. 092104, 2014.
M. Laskar, Nath, D. N. , Ma, L. , Lee, E. , Lee, C. H. , Kent, T. , Yang, Z. , Mishra, R. , Roldan, M. A. , Idrobo, J. - C. , Pantelides, S. T. , Pennycook, S. J. , Myers, R. , Wu, Y. , and Rajan, S. ,
“p-type doping of MoS2 thin films using Nb”,
Applied Physics Letters, vol. 104, p. 092104, 2014.
M. Laskar, Nath, D. N. , Ma, L. , Lee, E. , Lee, C. H. , Kent, T. , Yang, Z. , Mishra, R. , Roldan, M. A. , Idrobo, J. - C. , Pantelides, S. T. , Pennycook, S. J. , Myers, R. , Wu, Y. , and Rajan, S. ,
“p-type doping of MoS2 thin films using Nb”,
Applied Physics Letters, vol. 104, p. 092104, 2014.